Teknoloji dünyasının başarılı isimlerinden Intel, yeni üretim teknolojileri ile 3nm ve sonrasına geçiş yapmak ismine planlar kurarken verimlilik ve 3D ön bellek konusunda müşterilerine farklı tahliller sunacak. Son periyotlarda yaşanan global çip krizi ve tıpkı vakitte tüm dünyayı saran enflasyon nedeniyle yenilik geliştirmede duraksamalar olacağı ve Moora yasasının kaldırılacağı argümanlarının tersine Intel maddeyi devam ettirmek konusunda kararlıdır.
Moore yasası uygulanmaya devam edecek
Yeni üretim süreçleri ile ilgili rakip firmalardan hayli geride kalan ve TSMC ile üretim iştiraki yapmak zorunda kalan Intel, 8 yıl içerisinde değerli çalışmalara yaparak yine rekabet içerisinde yer almayı amaçlıyor. Intel bahisle ilgili yapmış olduğu açıklamada Moore yasasını devam ettirmek için 2030 yılına kadar yeni bir program geliştireceklerini açıkladı. Kelam konusu bu program transistör yoğunlukları 10 kat artış gösterirken 3 atom kalınlığında yenilikçi malzemeler yer alacak.
Silikon gereçlerin kısıtlamalarını ortadan kaldırmak için dökümcüler farklı malzemeler üzerinde testler yaparken verimliliği artırmak ismine yeni dizilim yollarını tercih ediyor. Samsung ve TSMC bu yeni süreçlerde birden fazla nano ilişki noktasını yan yana değil istifleme sistemi formunda dizen GAA teknolojisi üzerinde çalışmıştı. Intel ise bu noktada 4 ve 3 nm süreçlerine kadar irtibat noktalarını yan yana olacak biçimde dizme tekniğini kullanırken sonrasında ise GAA tekniğini kullanmayı planlıyor. Tıpkı vakitte PowerVia art kısımda güç dağıtım teknolojisi ve buna ek olarak RibbonFET teknolojisi ile de verimlilik artırılacak.
Diğer taraftan ise Ryzen 3D tekniği ile benzeri bir biçimde transistörlerin üzerinde ferroelektrik kapasitörler ile bellek konumlandıran FeRAM teknolojisi, çok daha verimli bir biçimde güç transferini gerçekleştirecek. 300 mm’lik yonga seti üzerine ise GaN tekniği de yakın bir vakitte Intel müşterilerinin kullanımına sunulacak.
Kaynak: İndir
